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XR2221 N+P双通道广州场效应管，低导通内阻

发布时间：2024-03-15 11:18:00来源：http://gz.szxunrui.cn/news1007480.html

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XR2221 N+P双通道场效应管，低导通内阻

General Description
  These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. 
Features
 Fast switching
 Green Device Available
Applications  
 Notebook
 Load Switch
 Networking
 Hand-held Instruments

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